Гръмотевичният силициев карбид

През последните две години полупроводниковият материал от трето поколение силициев карбид (SiC) духаше много силно, като гръм. Миналата година някои медии ще бъдат 2021 като "година на експлозия на силициев карбид". Тази година има хора, които ще бъдат 2022 г. като „приложения за захранващ чип от силициев карбид на новата година“, не знам дали следващата година ще успее да измисли нови лозунги (тук се отнасят до „21-ви век е векът на биология"). Капиталовият пазар също е вятърът и силициевият карбид, който търка малко ръба на темата, се изстрелва нагоре.

SiC е най-подходящият материал за захранващи устройства.

Полупроводниковите материали, съставени от силиций, промениха живота ни, вярвам, че в бъдеще за дълго време силициевият полупроводник все още ще бъде основният поток. По време на разработването на силициеви материали в продължение на десетилетия са се срещали някои проблеми и много хора са се опитвали да го заменят с различни материали. Полупроводниковите материали също са разработили три поколения. Силициевият карбид е третото поколение полупроводникови материали. Тъй като SiC има широка забранена ширина на лентата, което води до свойства на материала като висока напрегнатост на електрическото поле на пробив. Възползвайки се от материалните свойства на SiC, SiC захранващите устройства имат предимства като устойчивост на високо напрежение, малък размер, ниска консумация на енергия и устойчивост на висока температура.

Това предимство се отразява главно в силовите устройства. Въз основа на гореспоменатите характеристики, същите спецификации на SiC-MOSFET в сравнение с Si-MOSFET, съпротивлението при включване е намалено до 1/200, размерът е намален до 1/10; същите спецификации на използването на SiC-MOSFET инвертор и използването на Si-IGBT в сравнение с общата загуба на енергия е по-малко от 1/4.

Силовите устройства са един от важните основни компоненти на индустрията за силова електроника, широко използвани в електрическо оборудване, преобразуване на мощност и управление на вериги и други области, е незаменим основен полупроводников продукт в индустриалната система. Бързият растеж на новите енергийни превозни средства за захранващи устройства донесе широко пространство за развитие. Силициевият карбид MOSFET да замени базирания на силиций IGBT е тенденцията.

SiC-MOSFET има ниско съпротивление при включване и ниска загуба при превключване, което е по-подходящо за приложение във високочестотни вериги. В новото енергийно превозно средство контролерът на двигателя, захранването на превозното средство, слънчевият инвертор, купчината за зареждане, UPS и други области имат широк спектър от приложения.
Що се отнася до силициевия карбид, все още трябва да изясним няколко точки.

Първо, SiC не е пълен заместител на силиция. Предимствата на силициевия карбид са устойчивост на високо налягане, устойчивост на висока температура, ниска загуба на енергия, но тези предимства не се отразяват в продуктите на потребителската електроника. Напротив, SiC вафлите са трудни за приготвяне, цената е твърде висока и ецването е трудно, така че не може напълно да замени силициевия материал.

Второ, ефективността на силициевия карбид и галиевия нитрид има свой собствен фокус, различни области на приложение. SiC се фокусира върху високо напрежение, GaN се фокусира върху висока честота, двата материала нямат много конкурентни качества и сценариите на приложение не са еднакви.

В допълнение, дори в изгодната област на SiC - захранващи устройства, SiC не е доминиращ, базираният на силиций IGBT не е невъзможен за използване.

Shengyang New Materials Co., Ltd. се ангажира да произвежда силициев карбид и продукти за обработка на силициев карбид и може да персонализира различни компоненти от силициев карбид според нуждите на клиента. Ако е необходимо, моля свържете се с нас.
Телефон:+8618560961205
Email sales@zbsyxc.com
WhatsApp:+86139694302243